不断上升的商业压力和越来越短的机会窗口意味着，电动汽车(EV)充电基础设施必须在尽可能短的时间内开发。通常这必须通过分配有限的工程资源来完成。一份内容丰富的东芝新白皮书描述了该公司的三相400VAC功率因数校正(PFC)参考设计。它解释了碳化硅(SiC) MOSFET技术是如何在更高的功率密度和提高转换效率水平方面满足最新的电动汽车充电要求的。通过使用这个参考设计，所有必要的开发工作都可以加速进行——从概念阶段快速过渡到初始原型，然后达到最终的实现。
公司:
PFC