在日本福岛核灾难之后，日本政府成立了LEAP（低功率电子协会和项目）倡议。其明确目标是开发新的超低功耗技术，以降低日本消费和工业市场广泛应用的能耗。
该项目最早实现的技术之一是一种新的半导体工艺技术，它将允许开发一系列新型超低功率半导体器件。
这一过程被称为薄埋氧化物上的硅（SOTB）。它源于目前常用于制造高性能片上系统（SOC）和应用特定标准产品（ASSP）的全耗尽硅隔离器（FD-SOI）工艺技术。采用FD-SOI工艺技术的器件往往具有高集成度和高时钟频率。然而，尽管它们可以为Icc/MHz提供令人印象深刻的数字，但它们通常不被认为是低功耗的，并且通常不能集成嵌入式内存。
薄埋氧化硅（SOTB）专门用于支持下一代超低功耗嵌入式微控制器的设计，旨在为能量采集应用提供高性能解决方案。
在新SOTB进程上实现的嵌入式控制器将能够结合高CPU性能、高内存集成度和极低的主备电流。这使它们成为从环境中获取能量的连接应用程序的理想选择。
当今大多数微控制器都是使用多种CMOS体硅工艺中的一种来开发的。这些工艺在半导体工业中有着悠久的历史，并且在这些特定工艺的优点和缺点方面都得到了很好的理解。当我们想要为特定的应用开发一个新的微控制器时，我们必须根据我们需要的设备的确切电气特性仔细地选择过程。
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