650V MOSFET增加了铂层以提高性能
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意法半导体推出了两个系列的n沟道超结功率MOSFET，具有多个排水口，用于开关模式电源(SMPS)。这些600V和50V设备特别针对数据中心服务器和平板电视的5G基础设施的SMPS供应。第一个M9和DM9 MDmesh设备是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。都有……
意法半导体推出了两个系列的n沟道超结功率MOSFET，具有多个排水口，用于开关模式电源(SMPS)。这些600V和50V设备特别针对数据中心服务器和平板电视的5G基础设施的SMPS供应。
第一个M9和DM9 MDmesh设备是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两者都具有非常低的单位面积通电阻(RDS(on))，这使功率密度最大化，并允许紧凑的系统尺寸。每个都有其类别中最好的最大RDS(on) (RDS(on)max)， STP65N045M9在45mΩ， STP60N043DM9在43mΩ。极低的栅极电荷(Qg)，通常在400V漏极电压下80nC，这些器件具有目前可用的最佳RDS(on)max x Qg性能图(FoM)。
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高压MDmesh技术增加了铂扩散过程，确保了快速本征体二极管，使二极管峰值恢复斜率(dv/dt)大于早期过程。MDmesh DM9的所有器件都能在400V下承受高达120V/ns的dv/dt。
栅极阈值电压(VGS(th))，通常STP65N045M9为3.7V, STP60N043DM9为4.0V，与早期MDmesh M5和M6/DM6相比，使接通和关断开关损失最小化。MDmesh M9和DM9系列还具有非常低的反向恢复充电(Qrr)和反向恢复时间(trr)，这进一步有助于提高效率和开关性能。
这两个设备现在可以从ST获得一个TO-220电源包，并在2022年第二季度结束前分发。订购1000件的STP65N045M9将从6.30美元起。进一步的标准表面安装和通孔封装选项将在2022年晚些时候添加。
www.st.com/mdmesh-m9而且www.st.com/mdmesh-dm9
