英特尔赶上TSMC？
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据Scotten Jones称，英特尔正在赶上CHIP制造技术领导者TSMC，他对Semiwiki的“英特尔4”制造过程进行了审查。英特尔在最近在一篇题为“英特尔4 CMOS技术…的VLSI技术研讨会上介绍了该过程。
根据Scotten Jones的说法，英特尔正在赶上芯片制造技术领导者TSMC。半维基。
英特尔在最近在题为“”的论文中举行的VLSI技术研讨会上介绍了该过程。Intel 4 CMOS技术具有优化的高密度和高性能计算的高级芬费晶体管。”
琼斯报道说，流星湖加工者已经在此过程中生产了，并准备在2H23中生产。
英特尔在3nm处领先？
在密度和性能方面，Intel 4位于TSMC的N5和N3之间。
琼斯评论说：“如果英特尔在明年继续进行Intel track并发行Intel 3，他们将拥有一个铸造过程，该过程在密度和可能的领导者方面具有竞争力。”他补充说：“三星和TSMC均应在2024/2025的时间范围内引入2NM流程，他们将需要对其3NM流程进行显着改进，以与英特尔保持同步。”
但是，也值得注意的是，TSMC显然正在建立以英特尔需求为铸造客户的3NM制造能力。
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