X-fab在6英寸SIC铸造厂的容量加倍
为了准备加倍容量，该小组购买了第二个加热的离子植入植物，用于制造6英寸的SIC晶圆。预计该加热离子植入植物的交付预计将于2018年底，并计划在2019年第一季度及时发布生产发行，以满足预计的近期需求。X-fab是第一个在6英寸晶片上提供SIC制造的晶圆铸造厂。X-FAB的SIC流程能力的加倍促进了其保持最佳6英寸SIC Wafer Foundry的战略，并展示了公司对SIC技术和SIC铸造厂商业模式的承诺。
Advantages of X-FAB’s 6-inch SiC process capabilities for power semiconductors include superior high voltage operation, significantly lower transistor On-resistance, significantly lower transmission and switching losses, extended high temperature operation as high as 204°C, higher thermal conductivity, very high frequency operation, and lower parasitic capacitance. X-FAB’s SiC process capabilities allow customers to realize high efficiency power semiconductor devices including high power MOSFETs, JFETs, and Schottky diodes.
“随着SIC的日益普及，我们早期就知道，增加我们的离子植入物能力对于我们在SIC市场的持续制造成功至关重要。这只是我们针对SIC特定制造过程改进的总体资本计划的第一步。此步骤还使X-FAB能够证明我们对SIC行业的承诺，并保持我们在SIC铸造业务中的领导地位。
X-FAB的6英寸SIC流程功能可在其德克萨斯州拉伯克制造网站上获得，该网站已根据新的IATF-16949：2016国际汽车质量管理系统（QMS）获得汽车制造认证。
X-fab -www.xfab.com
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