瑞士的研究人员发现了DRAM存储设备的主要漏洞。
苏黎世联邦理工学院的研究小组发现，以不同频率“敲击”不同的记忆行可以诱发潜在的有害比特错误。这些漏洞现已与瑞士国家网络安全中心(Swiss National Cyber Security Centre)一起公布，该中心首次为这些漏洞指定了识别号码。
由苏黎世联邦理工学院的卡维·拉扎维(Kaveh Razavi)领导的团队，以及阿姆斯特丹自由大学(Vrije Universiteit Amsterdam)和高通技术公司(Qualcomm Technologies)的同事，发现了他们称之为“铁匠”(Blacksmith)的基本漏洞。在1到10的等级中，脆弱性为9级。
Razavi说:“dram的一个潜在的、众所周知的问题是Rowhammer，人们已经知道这个问题好几年了。通过反复激活——或“敲击”——一个记忆行(“攻击者”)，攻击者可以诱发邻近行(也称为“受害者”行)的比特错误。原则上，可以利用比特错误进入计算机系统内的受限区域，而无需依赖任何软件漏洞。
“这是DRAM芯片上电子元件密度不断增加的必然结果，”拉扎维所在的信息技术与电气工程系的博士生帕特里克·贾特克(Patrick Jattke)说。
Razavi说:“大约10年前，Rowhammer首次被发现后，芯片制造商在DRAM模块内部实施了缓解措施，以解决这个问题。“不幸的是，这个问题还没有解决。”
这种目标行刷新(TRR)缓解由内置在内存中的不同电路组成，可以检测特定行异常高的激活频率，从而猜测攻击在哪里发动。作为一种对策，控制电路会提前刷新假定的受害行，从而防止可能的比特错误。之前的工作表明，现实世界中的Rowhammer攻击是可行的，例如，在使用JavaScript的浏览器中，在智能手机上，在云中的虚拟机中，甚至在网络上。
Razavi和他的同事们发现，这种基于硬件的“免疫系统”只能检测到相当简单的攻击，比如双面攻击，攻击目标是相邻的两排记忆体，但仍然可以被更复杂的攻击蒙骗。他们设计了一款名为“铁匠”(Blacksmith)的软件，该软件可以系统地测试复杂的锤击模式，在锤击周期的不同点，以不同的频率、相位和振幅激活不同数量的行。之后，它会检查是否某个特定的模式导致了位错误。
他说:“我们发现，在我们测试的40种不同DRAM存储器中，Blacksmith总能找到导致Rowhammer钻头错误的模式。”
因此，在芯片制造商找到方法更新针对未来几代DRAM芯片的缓解措施之前，目前的DRAM存储器可能会面临无法防御的攻击。
“我们显然想让世界更安全，我们相信，让潜在受害者意识到这类威胁很重要，这样他们就可以做出知情的选择。”这些受害者不太可能是普通用户，因为有更简单的方法可以攻击大多数电脑，但他指出，民族国家或强大的组织可以利用这种攻击来攻击知名目标。为了给生产商时间对新的漏洞做出反应，Razavi和他的同事几个月前就已经通知了他们。
在未来，ETH的研究人员希望探索更复杂的诱导比特错误的方法。这可以帮助芯片制造商测试他们的设备，并解决所有可能的锤击攻击。拉扎维说:“当然，尽管我们发布了显示如何触发比特错误的代码，但我们目前没有披露任何滥用这些错误的代码。”
comsec.ethz.ch /研究/ dram /铁匠；瑞士网络安全支持中心(断裂)。
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