IQE与GlobalFoundries达成GaN-on-silicon战略协议

2021年10月22日//尼克费海提
IQE与GlobalFoundries达成GaN-on-silicon战略协议
IQE与GlobalFoundries签署了首个RF GaN技术开发合作计划

英国晶圆供应商IQE与GlobalFoundries签署了一项战略协议,开发用于移动和无线基础设施应用的硅上氮化镓(GaN-on-Si)技术。

该协议将允许GF在佛蒙特州伯灵顿的Fab 9工厂提供硅氮化镓,使用总部位于卡迪夫的IQE提供的晶圆。IQE长期与比利时研发实验室imec合作研究氮化镓的硅技术。

这将是未来5G系统(包括mmWave)的关键。GF和IQE将共同努力,汇集他们的专业知识,促进当前和未来通信系统关键构件的开发。

“IQE与GlobalFoundries的合作标志着我们迈出了一步。它认可了我们市场领先的GaN产品的质量,并展示了IQE日益密切的客户关系如何将更多创新产品大规模推向市场。这是一个利用GaN高成本结构的性能的独特机会-量产硅制造。我们期待着在未来几年与GlobalFoundries密切合作,”IQE无线和新兴产品执行副总裁Wayne Johnson博士说

“GlobalFoundries继续以创新和功能丰富的5G解决方案领先。与以我们的合作将使我们能够提供差异化的氮化镓硅解决方案,使下一代的连接和用户体验,这将有助于使我们的客户的创新,”博士说Bami Bastani,高级副总裁兼总经理,在GlobalFoundries移动和无线基础设施。

www.iqe.com

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