ALD卓越中心，推动领先的工艺技术
ASM国际正在赫尔辛基大学Kumpula校区建立一个中心，专注于下一代芯片制造的原子层沉积(ALD)
ALD是精确控制薄膜厚度和成分的关键技术。ALD和其他原子层工艺在3nm及以下的半导体技术中发挥着越来越重要的作用，是欧洲芯片法案的重点领域。
欧洲一直是该技术的主要开发者，该技术最初是在20世纪70年代早期在芬兰开发的，目的是为平板显示器的电致发光器件实现高质量的ZnS薄膜。
ALD卓越中心(ALD CoE)是美国医学协会与大学合作的一个重大推动，作为该中心五年协议的一部分，美国医学协会将增加对该中心的资助。
荷兰的ASMI表示:“我们是最早认识到ALD技术在半导体行业的潜力的公司之一。”该公司于1988年成立了光刻子公司ASML，是半导体行业的关键设备供应商。
“1999年，我们收购了芬兰公司Microchemistry，成立了ASM Microchemistry。微化学从1987年开始研究ALD在催化剂和太阳能电池上的应用。与此同时，新的ALD反应器概念正在研究中，最早的200毫米晶圆加工设备在20世纪90年代末设计和建造。”“我们又投入了8年的研发努力，设计和生产所需的设备和工艺，以使其可靠和高效的使用先进的半导体芯片制造商。”
ALD CoE标志着下一阶段的发展，在Kumpula的ASM微化学团队的扩展，以开发和适应新的研究方法的原子层过程。通过与大学的合作，研究人员将能够使用最近安装在大学化学系和物理系加速器实验室的ALD超高真空表面分析技术集群来设计新的前体、工艺和材料。
ALD卓越中心的协议大大扩展了我们与赫尔辛基大学近20年的成功合作。我们对这一旨在实现ALD突破的合作伙伴关系感到非常兴奋，这将使未来的半导体技术成为可能。”
他说:“新成立的ALD CoE将进一步增强欧洲在ALD技术方面的实力，使之成为欧洲半导体基础设施的重要组成部分，从而帮助实现欧洲芯片法案的战略目标。”
“我们的研究小组非常感谢与美国医学协会的合作，它将我们带到了基础研究和应用研究之间的界限消失的领域。我们正在解决的研究问题本质上是基础性的，但我们的研究结果可能会在未来的半导体器件中得到实际应用，”赫尔辛基大学赫尔辛基ald小组负责人Mikko Ritala教授说。
