英飞凌在20亿欧元的碳化硅移动
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英飞凌科技正在花费超过20亿欧元来扩大其碳化硅和氮化镓功率芯片的产能，将其在Villach的200毫米和150毫米硅生产线转化为这些宽的带宽缺口，并在马来西亚增加第三个晶圆厂。阅读更多
英飞凌将Villach工厂改造为SiC工厂，并以20亿欧元扩建马来西亚工厂
英飞凌科技公司将花费超过20亿欧元扩大其碳化硅和氮化镓功率芯片的产能，将其位于Villach的200mm和150mm硅生产线转化为这些宽带隙，并在其位于马来西亚的工厂增加第三个晶圆厂。
在马来西亚Kulim的第三个模块将在2024年底投入使用，届时碳化硅和氮化镓产品将带来20亿欧元的额外年收入。这将包括重要的增值步骤，特别是外延工艺和晶圆模拟。
与此同时，Villach工厂将继续作为创新基地和全球能力中心，在未来几年改造现有的硅设备。150mm和200mm的硅生产线将通过重新利用非特定硅设备转换成SiC和GaN的生产。英飞凌表示，Villach场地目前正在为进一步的增长机会做准备。
该公司的SiC电源设备已经拥有超过3000家客户，主要面向汽车和电动汽车充电、工业电源、光伏、交通、驱动等领域。英飞凌的目标是，到2015年，基于sic的功率半导体的收入达到10亿美元。
市场研究机构约尔(Yole)预计，氮化镓市场也将大幅增长，从2020年的4700万美元增至2025年的8.01亿美元。英飞凌拥有广泛的氮化镓知识产权投资组合，并表示有一个庞大的研发团队致力于这项技术。
“创新技术和绿色电能的使用是减少碳排放的关键。可再生能源和电动汽车是电力半导体需求强劲和可持续增长的主要驱动力。”“碳化硅和氮化镓产能的扩大，为英飞凌加速进军宽带宽市场做好了准备。我们正在创建一个成功的组合，即我们在Villach的开发能力中心和在Kulim的具有成本效益的宽带隙功率半导体生产。”
