Fujitsu半导体存储器解决方案有限公司已推出了12Mbit RERAM（电阻随机访问存储器）MB85AS12MT，它是Fujitsu Reram Product family中最大的密度。

RERAM技术基于夹在交叉点电极之间的金属氧化物的脉冲电压编程。这是由日本Nuvoton Technology Corp. - 以前的Panasonic半导体解决方案有限公司共同开发的。Fujitsu已将RERAM作为互补的非挥发性记忆引入其铁电RAM（FRAM）。

12Mbit产品的包装均采用2mm x 3mm的包装，并且在阅读操作过程中平均读取电流为0.15mA。这使得该产品适用于可穿戴设备，例如助听器和智能手表。

规格

MB85AS12MT的电源电压从1.6V到3.6V。

与经常用于具有串行外围界面（SPI）的存储器设备相比，用于MB85AS12MT的晶圆级芯片量表软件包（WL-CSP）可以节省其安装表面积的约80％。

在5MHz的工作频率下，平均读取电流为0.15mA，在10MHz操作时为1.0mA。