II-VI扩大了美国瑞典的SIC WAFER工厂
II -VI正在加速其在瑞典和美国的150mm和200mm硅碳化物（SIC）底物和外延晶圆制造的投资。
该公司此前宣布在未来十年内进行10亿美元的投资，该投资正适用于瑞典北瑞典和宾夕法尼亚州伊斯顿的大型工厂扩建，以创建世界上最大的供应商之一。
吉斯塔的外延晶片能力的扩展旨在为欧洲市场服务。这来自收购Ascatron。该技术通过其在单个或多个再生步骤中实现较厚的层结构的能力而有所不同，该步骤适合于1千万以上的应用中的功率设备。
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II-VI将在Easton大大建造其近300,000平方英尺的工厂，以扩大其最先进的150毫米和200毫米SIC底物和外延晶片的生产。Easton的150毫米和200毫米SIC底物的产量预计到2027年每年达到150毫米底物的相当于100万毫米的底物，随着时间的推移，200 mM底物的比例为200 mM。
“我们的客户正在加快他们的计划，以与我们期望的电动汽车中预期的对SIC电力电子产品的潮汐浪潮相交，我们期望这些需求将紧接在当前的工业，可再生能源，数据中心等的当前采用周期之后，”执行官Sohail Khan说。新企业和宽带电子技术副总裁。“The Easton factory will increase II-VI’s production of SiC substrates by at least a factor of six over the next five years, and it will also become II-VI’s flagship manufacturing centre for 200 mm SiC epitaxial wafers, one of the largest in the world.”
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Easton的II-VI工厂将由基于燃料电池技术的不间断和可扩展的微电网提供动力，以提供可靠的电力供应。
