梅格坦丁等数字化，城市化和电动能力导致功耗增加。与此同时，能源效率越来越重要。Infineon Technologies AG正在响应这些兆元，并通过提供新的Coolsic™650-V碳化硅（SIC）MOSFET来实现需求，以提供可靠，易于使用，高性能的高性能。这些设备在英飞凌的最先进的SIC沟槽技术上建立，并进入了紧凑的D.²PAK SMD 7针套件，具有.xt互连技术。它们针对高功率应用，包括服务器，电信，工业SMP，快速EV充电，电机驱动，太阳能系统，储能和电池组。

新产品以更高的电流提供改进的切换行为，反向恢复充电越低80％（Q_rr.) and drain-source charge (Q_oss.）比最好的硅参考。降低的开关损耗允许在较小的系统尺寸下进行高频操作，从而实现更高的效率和功率密度。沟槽技术是良生栅极氧化物可靠性的基础。即使在恶劣环境中，也可以实现改进的雪崩和短路稳健性，这确保了最高的系统可靠性。SiC MOSFET适用于具有重复换向的拓扑以及高温和苛刻的操作。由于耐耐低电平（r_DS（开））温度依赖性，它们显示出优异的热行为。

具有距离源极的宽电压（v_GS）范围从-5 v最多23 V并支持0 V关闭v_GS和栅极 - 源阈值电压（V_gs（th））大于4 v，新的家庭也适用于标准MOSFET栅极驱动器IC。此外，新产品支持双向拓扑和完整的DV / DT可控性，提供减少的系统成本和复杂性，以及易于采用和整合。.XT互连技术显着提高了包装的热力功能。与标准互连相比，可以消散高达30％的额外损失。有十个新产品，英飞凌D.²Pak 7针产品SIC MOSFETS是市场上最颗粒状的。

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