瑞萨电子公司高度集成的F5288和F5268发射器/接收器(8T8R)芯片组使用5.1mm x 5.1mm的BGA封装，具有业界最高的Tx输出功率能力，用于24至29.5GHz的n257、n258和261波段。
这些部件为每个通道提供超过15.5dBm的线性输出功率，每个通道的EVM(误差矢量幅度)小于3%，使用400MHz 5GNR CP-OFDM波形，120kHz子载波间距和11.7dB PAR。
这使得具有成本效益的无线电设计具有扩展信号覆盖范围的无线基础设施应用，包括广域、小蜂窝和宏基站，以及CPE、固定无线接入(FWA)接入点和各种其他应用。
F5288 (26.5GHz - 29.5GHz)和F5268 (24.25GHz - 27.5GHz)芯片组使用了动态阵列功率(DAP)技术，能够在10 dBm至16 dBm的线性输出功率级别上实现高效运行。这使得第三代集成电路适用于具有广泛输出功率要求的移动和固定无线应用。这种灵活性允许通信客户通过在不同的应用程序中重新使用他们的天线阵列设计来减少设计时间。
ArraySense技术具有全面的片上传感器网络，用户可以在阵列操作时监控IC的性能，并实时进行关键校正。RapidBeam先进的数字控制技术可以同时同步和异步控制多个波束形成集成电路，以实现非常快速的波束控制操作，而芯片中的相位和增益控制包括360°相位控制范围，真正的6位分辨率，以及高达31.5dB的增益控制和0.5dB的步长
温度补偿技术，最大限度地降低随温度变化的射频性能退化，以实现接收噪声系数在室温下低至4.5dB，在温度高达95℃时低至5.5dB。
Renesas公司RF通信产品部副总裁Naveen Yanduru表示:“随着行业转向城市和郊区移动和固定无线网络的5G mmWave技术，足够或缺乏信号范围仍然是最大的挑战。”Renesas的新波束形成芯片改变了这个不断发展的市场，提供了小型、集成的高输出功率波束形成解决方案，使通信客户能够为远程无线应用实现低成本的基站和FWA设计。”
双极化8通道架构提供高度对称、极低损耗的天线路由网络，提高天线整体效率，降低板成本。外露的模具封装可以更有效地对电路板进行热管理，通过IC背面改善散热。此外，瑞萨设计了封装引脚图，以简化电路板设计，降低设计风险。较低的复杂性PCB设计与最小的层数导致降低板成本和更快的上市时间。
为了进一步简化毫米波系统设计，瑞萨已经开发了基于F5288和F5268波束形成芯片的基站天线前端参考设计，包括F5728上/下转换器、8V97003宽带毫米波合成器和多种瑞萨PMIC电源管理设备。
F5288和F5268波束形成集成电路和评估系统现在已经可用。
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