这使得他们能够制造出高效的绿色和红色氮化发光二极管，而不会受到晶体缺陷的不利影响。

他们在一篇题为《InGaN血小板:“绿色和红色发光二极管的合成和应用”发表在《纳米快报》上，研究人员解释说，为了消除通常生长在GaN层上的InGaN量子阱的光学性质的不利应变，他们使用了InGaN缓冲层代替。这是他们通过MOVPE选择性地在GaN尖端获得的。

在退火过程中，他们能够将金字塔生长的InGaN的顶端蚀刻成c取向的InGaN六角形薄片，厚度仅为100至200纳米，直径约为630纳米。InGaN缓冲层的进一步生长使得研究人员可以在随后的InGaN Qws中增加铟含量。

使用这种策略，作者能够在这种IngaN血小板上种植的QW LED，发出绿色_0.09GA._0.91N和In上的红色_0.18GA._0.82室温下是N。

Lund大学固体物理/NanoLund教授Lars Samuelson解释说，作者已经申请了知识产权以保护他们的技术，这项研究和开发与该大学的两个分支密切相关，即Glo AB和Hexagem AB。

隆德大学https://lunduniversity.lu.se

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