Synopsys, Varian开发用于逻辑、存储设备的TCAD模型
商业新闻
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Synopsys和Varian半导体设备联合开发技术CAD (TCAD)模型，解决低温离子注入，以减少前沿逻辑和存储器件的泄漏。
Synopsys和Varian声称，他们合作开发的TCAD Sentaurus模型将加快先进CMOS和内存技术的工艺开发，并减少工艺开发成本和上市时间。
作为此次合作的一部分，Synopsys表示将使用Varian低温植入过程的实验数据来开发和校准TCAD Sentaurus工具的模型。
“今天，半导体制造商在提高器件性能、实现高产品良率、降低工艺研发成本和实现上市时间目标方面面临巨大挑战。因此，通过模拟来支持新工艺技术以减少技术开发时间和成本变得越来越重要，”瓦里安战略技术高级总监Yuri Erokhin博士表示。
Erokhin继续说:“低温离子植入已被证明可以显著提高晶体管性能，是制造先进器件的关键因素。这次与Synopsys的合作将使我们的共同客户能够通过模拟探索和优化低温植入工艺，缩短上市时间。”
早在2005年，Synopsys就宣布将瓦里安的离子注入过程数据添加到Sentaurus校准库中。
通过整合Varian Semiconductor的数据，Synopsys提高了先进超浅结(USJ) CMOS技术TCAD工艺模拟的可预测性和准确性，使半导体制造商减少了产品开发的总体成本和时间。
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