欧洲团队研究下一代FD-SOI技术
CEA、Soitec、GlobalFoundries和意法半导体(STMicroelectronics)正共同致力于为6G设计准备的FD-SOI(全耗尽绝缘体硅)技术的下一代路线图。
研究小组CEA和Soitec总部位于法国，而位于法国Crolles的ST工厂则采用FD-SOI 28纳米工艺。GF在德国德累斯顿有一个关键的晶圆厂，使用22nm工艺和22FDX工艺技术，ST也使用。
法国CEA-Leti研究实验室表示，该技术可以扩展到10nm以下，这将是该技术路线图的一个关键目标。
FD-SOI具有较低的功耗以及更容易集成其他功能，如连接性和安全性，这是汽车、物联网和移动应用的关键功能。
FD-SOI是一种固有的平面工艺技术，可以减少硅的几何形状，同时简化制造过程。它使用了一层超薄的绝缘体，即埋在硅基之上的氧化物。然后，一个非常薄的硅薄膜实现晶体管通道，而不需要涂上该通道。
与传统的体技术相比，这提高了晶体管的静电特性，降低了源极和漏极之间的寄生电容，降低了有功功耗。它还限制了从源到漏的电子流动，减少了漏电流。
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“20多年来，CEA一直是Grenoble-Crolles生态系统中FD-SOI技术的先驱。CEA还与意法半导体、Soitec和GlobalFoundries进行了长期的深度研发合作，并一直非常积极地参与欧盟委员会和成员国的倡议，旨在为FD-SOI建立一个完整的生态系统，从材料供应商、设计公司、EDA工具供应商、无晶圆厂公司和终端用户。”CEA主席François Jacq说。“CEA受到这个机会的高度激励，准备新一代FD-SOI技术，提供更高的性能、更低的功耗和更低的成本，以满足欧洲主要市场的需求，如汽车、物联网、5G/6G和制造4.0。”
Soitec首席执行官Paul Boudre表示:“FD-SOI是我们所解决的动态市场的关键技术，也是我们行业和客户的重要增长动力。“我们今天很高兴宣布的fid - soi联盟建立在Soitec推动基板创新的能力之上，并帮助推出新一代半导体，服务于各种各样的市场，包括连接、汽车、物联网和人工智能。与我们的合作伙伴和盟友一起，我们希望确认我们的技术领先地位，并继续推动全球微电子的创新。这次合作也说明了我们如何与客户紧密合作，以推进技术，满足他们未来的需求，并陪伴他们以高速度进入市场。”
GlobalFoundries首席执行官Tom Caulfield表示:“我们期待深化与法国和欧洲主要利益相关者在整个半导体价值链上的伙伴关系，特别是建立我们高度差异化的基于fdsoi的解决方案，共同解决汽车、物联网和智能移动设备中需要低功耗、连通性和安全性的芯片的快速增长。”“充满活力的欧洲半导体生态系统对我们很重要，我们将继续投资，扩大我们在欧盟的存在，作为我们全球增长战略的一部分。”
“ST是FD-SOI的早期创新者，已经生产了几年，为广泛的终端市场提供定制和标准的先进产品。特别是，除了开发无人驾驶技术外，该技术还支持汽车行业向完全数字化和软件定义的架构过渡。”
他说:“我们期待与其他领先的专家在下一代FD-SOI上合作，使我们的客户在向全面数字化过渡时能够克服所面临的挑战，并支持经济的脱碳。”
www.cea.fr；www.soitec.com；www.st.com；www.gf.com
