英特尔将1nm技术用于万亿晶体管“芯片”
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尼克·弗莱厄蒂著
英特尔公司详细介绍了三个研究领域，这些领域将把一万亿晶体管放入一个封装中。
英特尔首席执行官帕特·盖尔辛格(Pat Gelsinger)早在8月份就强调了这一战略，该公司本周在美国举行的IEEE国际电子设备会议(IEDM)上展示了一些支持性研究。
这项研究涉及多个方面，包括将密度提高10倍的芯片3D封装技术，以及在RibbonFET之外仅3个原子厚的1nm晶体管的2D材料，以及新的可堆叠铁电存储器。
英特尔需要在技术路线图上与台积电和三星竞争刚刚起步的英特尔代工服务(IFS)，因为两家公司都有1nm制程的计划。
自晶体管发明75年以来，创新推动摩尔定律继续满足世界对计算的指数级增长需求。在IEDM 2022上，英特尔展示了突破当前和未来障碍所需的前瞻性和具体的研究进展，满足这一永不满足的需求，并在未来几年保持摩尔定律的活力，”英特尔副总裁兼组件研究与设计实现总经理加里·巴顿说。
第一个领域是异构3D封装，或称芯片，英特尔称之为“准单片芯片”。英特尔表示，它已经开发了3 um的混合键合间距，低于目前的10um间距。
英特尔还展示了一种使用仅3个原子厚度的2D通道材料的栅极全能堆叠纳米片结构，同时在室温下以低泄漏电流实现了近乎理想的双栅极结构晶体管开关。巴顿说，这是堆积GAA晶体管和超越硅的基本限制所需要的两个关键突破。
研究人员还讨论了对二维材料电接触拓扑结构的全面分析，这可能进一步为高性能和可扩展的晶体管通道铺平道路。
英特尔还展示了堆叠铁电电容器，其性能与传统铁电沟槽电容器相匹配，可用于在逻辑芯片上构建FeRAM。
一个器件级模型捕捉了改进铁电哈夫尼亚器件的混合相和缺陷，标志着英特尔在支持工业工具开发新型存储器和铁电晶体管方面取得了重大进展。
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