美国和中国的研究人员已经开发了具有Bicmos薄膜晶体管的第一柔性基板。
威斯康星大学 - 麦迪逊和南京大学的团队还简化了卷到卷生产系统的制造过程。
基板是在一块可弯曲的塑料基板上厚的可转移的单晶Si纳米膜（Si nm）340nm。使用低成本过程将平面1.5μmn沟道和p沟道MOSFET和NPN双极结晶体管（Bjts）植入硅中，通过将必要的离子注入步骤序列与精心挑选的能量，剂量和退火条件，并结合所有三种类型的晶体管否则提供的一些处理步骤。
所有类型的TFT都证明了优异的直流和射频（RF）特性，并在弯曲（Jack）Ma教授（Jack）Ma，Lynn H. Matthias教授在工程和Vilas大学大学的成就教授威斯康星州 - 麦迪逊（如上所示）
制造过程包括三个主要步骤：多重离子注入，转印印刷和微制造。在这些步骤中，精确的离子注入和随后的高温退火是使得能够使流动性BICMOS TFT的关键过程。
NMOS和PMOS TFT的物理栅极长度，栅极宽度（WG）和有效栅极（通道）长度（LG）分别为2,25和1.5μm，输出从0V到2.4V，从45MHz到20GHz。
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