参与现场讨论GaN, mosfet，功率二极管和双极晶体管的汽车和工业应用;从Nexperia的实验室直接观看点播视频演示

关键半导体领域的专家Nexperia今天宣布“权力生活”它的第二届年度虚拟会议将于9月21日至23日举行．在去年首届活动的成功基础上，为期三天的扩展活动将涵盖与电力电子相关的广泛主题，包括用于汽车和工业应用的GaN器件、mosfet、功率二极管和双极晶体管。

会议重点内容包括:

• 全电热MOSFET模型详细预览Nexperia的新电热MOSFET模型，可以在模拟中准确地表示器件的静态和动态特性，并减少通常在设计过程后期才发现的EMC问题的风险。
• 650V GaN CCPAK评估即将推出的使用双脉冲测试对标GaN CCPAK器件的评估板的特点和优势。
• 在工业应用中设计功率MOSFET为什么和何时需要500a MOSFET，优化关键特性，管理涌入电流和热SOA曲线。
• 肖特基整流器、硅锗整流器还是回收整流器?如何通过选择最合适的功率二极管，在汽车应用中实现额外的效率和可靠性，如LED驱动器或电磁驱动器。

整个日程将包括现场演示，邀请工程师讨论当今在电源组件设计时面临的一些最大挑战，并做出贡献，以及案例研究和来自Nexperia重要合作伙伴的贡献。与会者还可以在整个活动过程中观看Nexperia的常驻电力专家直接从该公司的全球实验室展示最新的技术演示。

由Nexperia和业内专家参加的GaN小组讨论将于9月23日星期四结束。这将是一个开放的论坛，讨论技术和市场的思想和影响。欢迎与会者的贡献。

Nexperia全球营销总监罗比·费迪南多斯(Robby Ferdinandus)在“Power Live”节目中评论道:“我们从去年的第一次活动中得到的反馈非常好。超过700名工程师报名参加，许多人表示，他们认为能够与其他志同道合的人在现场讨论共同的设计挑战是非常宝贵的。”

完整的活动时间表现已公布．有关GaN面板的问题可以使用注册页面上的表单提出。在这里免费注册．

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