BAE系统公司已经开始生产一种3U紧凑pci电源架构板，用于空间设计。该公司与GlobalFoundries在RAD510系统片上合作，这是单板计算机(SBC)的核心，也称为RAD510。
RAD510芯片基于GF公司的RH45 45nm隔离硅(SOI)技术，提供与电源架构软件兼容的处理，比目前的6U RAD750板功耗更低。
RAD510 SoC基于RAD5500处理器核心，工作频率范围从66MHz到462MHz，支持低功耗和高性能应用程序与1GB SDRAM与SNCDND, 1GB TMR NAND闪存和2MB MRAM。有32个可编程的输入，输出和中断与4端口SpaceWire路由器支持高达330Mbit/s的每条链路。
该板提供3 MIPs/MHz，提供198 MIPs @ 66 MHz (TBR)和1386 MIPs @ 462 MHz (TBR)。总剂量为50 Krad (Si)，闭锁免疫为85MeV-cm2/mg。
BAE系统公司空间系统主管Ricardo Gonzalez说:“RAD510 SBC是我们基于RAD750传统微处理器的SBC的自然进化，它为许多最重要的国家空间资产提供了动力。“这些高可靠性的计算机提高了卫星和其他航天器的性能，使太空任务更加有效。BAE系统公司与GlobalFoundries的关系始于2001年，当时公司开发了非常成功的RH25半导体技术节点。”
该RAD510 SoC已经集成到BAE系统公司位于弗吉尼亚州马纳萨斯的CompactPCI板中，是美国国防部1A类微电子可靠来源。
GF高级副总裁兼汽车、工业和多市场部门总经理Mike Hogan表示:“我们很自豪能与BAE系统公司合作，利用我们的45nm半导体平台的性能、可靠性和能效来满足空间的严格要求。”“作为敏感航空航天和国防应用半导体行业的领导者，GF知道如何开发和制造需要最高安全级别的解决方案。”
RAD510 soc是在GF公司位于纽约East Fishkill的Fab 10工厂生产的，该工厂也是美国国防部1A级微电子可信来源。GF和BAE系统公司已经启动了将45nm SOI技术的制造过渡到GF最先进的工厂，位于纽约马尔他的Fab 8工厂的过程，使其在未来可用于太空领域。
BAE系统公司还提供了一套抗辐射的Serial RapidIO网络产品，与RAD510 SBC一起管理和路由系统中的数据。其中包括RADNET 1848-PS，一个18端口RapidIO分组交换机，RADNET 1616-XP crospoint，一个协议未知的SerDes信号电路开关和复制器，以及RADNET SRIO-EP，一个串行RapidIO端点。
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