第一个crossbar ReRAM数组与选择器
以色列开发商Weebit Nano与法国的CEA-Leti一起使用，使用RERAM电阻内存技术开发了一个“千比特”横杆阵列。
横杆在相对适度的130nm制造过程中实现，但被描述为实现大型独立非易失性存储器的进展过程中的重要里程碑。选择器的性质未被Weebit公开，但可能是卵形阈值开关（OTS）。Weebit在6月2021年展示了OTS选择器与氧化氧化物的RERAM非易失性存储器的集成
OTS通常是基于电极交叉点的锗 - 硒二极管开关，因此它可以静置在所选择的存储器单元之下或上方。选择器在两个终端存储器中对其进行关键作用，因为它选择所寻址的存储器单元并防止通过阵列绕过所选单元的阵列。
嵌入式阵列利用1T1R（一个晶体管一个电阻）架构，但由于晶体管占用的区域和额外的接线，这占用了太多的空间来支持高容量和高密度独立阵列。因此，使用更容易集成的选择器包含兆位和同一块硅的千兆位。
这样的架构还允许Weebit的阵列以3D层堆叠，因此它们可以提供更高的密度。
Weeit的1S1R横杆RERAM体系结构在存储类存储器中具有潜在的应用程序，持久存储器和作为闪存更换。它也适用于诸如内存计算和神经形态计算的AI架构。
“Weebit Nano继续在嵌入式部门内进行显着的技术和商业进展 - 最近成功地将我们的皇家技术扩大到28纳米，”聘请的王国公司Coby Hanoch表示，在一份声明中。“现在，通过创建我们的第一千比特横杆阵列，将我们的Reram技术与CEA-Leti的选择技术相结合，我们正在继续我们对离散记忆解决方案的进展。”
“开发这样的横杆阵列是一个非常创新的过程，需要大量研究。作为这项工作的一部分，我们最近将几项新专利提交了CEA-Leti，旨在进一步保护Weebit的Reram知识产权，专注于1S1R架构和选择单元格编程。“
一位朝比特的发言人表示，该团队专注于向商业规模增长阵列大小，但离散芯片是朝前的中期目标。“在短期内，我们的路线图专注于嵌入式市场，在发言人表示，我们也在取得重大进展。”
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