瑞典材料专家SweGan公司为其碳化硅上的氮化镓(GaN-on-SiC)技术开发了150mm晶片，这是一个关键的里程碑。Nick Flaherty在与首席技术长兼联合创始人陈小泰谈论这项技术的计划。
在瑞典Linköping的新总部，就在大学的那条路上，SweGan达到了一个重要的里程碑。采用氮化镓碳化硅(GaN-on-SiC)技术提供150mm(6英寸)晶圆，为芯片制造商开辟了高功率、高频射频和功率应用领域。
该公司首席技术长兼联合创始人陈小泰(Jr-Tai 'Ted' Chen)说，在硅片上涂一层GaN的芯片设计师越来越喜欢使用这种技术，但目前的技术存在一些问题。
“在电力行业，硅多年来一直是领先的材料，但现在人们相信宽bangap器件可以做得更好，”陈说。“在市场上，你可以看到SiC有一个成功的故事。氮化镓的中等功率约为600至900V，硅领域的领先企业自然转向了硅上氮化镓，因为衬底价格便宜，这使他们能够实现垂直集成，所以99%的氮化镓器件都是氮化镓-硅。”
“如果你看硅上氮化镓的质量，仍然有很多缺陷，最大的问题是可靠性。这就是我们可以在碳化硅上用GaN做得更好的地方——我们使用不同的生长方案。我们已经开发这项技术10年了。”“硅上的氮化镓必须长到5 μ m厚才能获得良好的质量，但在缺陷下面有一层SiC，只有2 μ m。现在对我们来说，这是一个200到250nm的层，因为我们可以生产出质量更好、缺陷更少的产品。”
这种薄的外延层显示出更高的击穿强度，是硅的四倍。“关键不在于厚度，而在于质量，”他说。“在我们的结构中，我们将通道放置得离SiC衬底更近，这有助于散热。”
