英飞凌科技公司推出了一款512Mbit耐辐射串行NOR Flash存储器，用于空间设计中fpga的配置数据。
在空间应用中使用的现场可编程门阵列(fpga)需要可靠的、高密度的非易失性存储器，其中包含它们的启动配置。
256Mbit和512Mbit SPI NOR Flash设备符合MIL-PRF-38535的QML-V流(QML-V等效)。这是航空航天级芯片的最高质量和可靠性标准认证，也是NOR flash的一个关键成就，它依赖于隧道，因此容易受到单一事件干扰(SEU)错误的影响，这可能会导致FPGA配置文件中的问题。
英飞凌利用其65nm浮栅Flash工艺技术，开发了256mb四叉spi (QSPI)和512mb双四叉spi NOR Flash。两者都有133 MHz的SDR接口。
该512 Mb设备包括两个独立的256Mbit并排在包中的模具。这为设计人员在双QSPI或单QSPI模式下独立操作设备提供了灵活性，提供了使用第二个模具作为备份解决方案的选项。英飞凌正在与Xilinx等FPGA生态系统公司就太空级应用进行紧密合作。
“我们的抗辐射双QSPI非易失性存储器完全由最新的空间级fpga支持。他们使优越,低销数、单芯片选择解决方案配置处理器和fpga,”赫尔穆特•Puchner说,副总裁的航空航天和国防的英飞凌科技公司。”的整个形象Xilinx Kintex UltraScale XQRKU060,例如,可以在大约0.2秒加载双四模式”。
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当在更高的时钟速率下使用时，设备支持的数据传输匹配或超过传统的并行异步NOR闪存，同时减少引脚计数。该设备的辐射耐受能力高达30 krad (Si)偏置和125 krad (Si)无偏置。在125°C时，设备支持1000 Program/Erase周期和30年的数据保留，在85°C时，10k Program/Erase周期和250年的数据保留。
NOR Flash设备可以通过FPGA进行系统内编程，也可以通过一个独立的编程器进行系统内编程，该编程器采用相同的36导联陶瓷平板封装。英飞凌的开发工具包和软件还支持图像存储、微控制器数据和启动代码存储的设计。
RadTol NOR Flash设备采用24x12毫米2 36铅陶瓷平板封装。该设备支持温度等级从-55°C到125°C, SEU率< 1 x 10 -16 upsets/bit-day, SEL > 60 MeV。cm2 /mg(85°C)， SEFI > 60 MeV。cm2 /mg (LET)和SEU阈值> 28 Mev。厘米2 /毫克(让)。
www.cypress.com/products/radiation-hardened-memory
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