这是三星在美国有史以来规模最大的一笔投资，将在德克萨斯州奥斯汀以外的地区建设一个3nm芯片厂，以提高前沿逻辑芯片的供应链弹性
三星电子(Samsung Electronics)在考虑在美国其他地方建立一家新的领先芯片厂后，选择留在距离现有的得克萨斯州奥斯汀工厂不远的地方，斥资170亿美元建造一家3nm芯片厂。
此前，英特尔在亚利桑那州钱德勒的多个晶圆厂破土动工，德州仪器宣布计划在德克萨斯州达拉斯北部的一个场地上建造至少两个300mm晶圆厂。
德克萨斯州泰勒的设施位于奥斯汀的郊区，并将根据先进的工艺技术制造产品，以便在移动，5G，高性能计算（HPC）和人工智能（AI）等领域的应用。
该公司将在上半年开始在2022年的前半部分开始在2024年的设施运作的目标。这意味着从3nm的能力开始，以观察2nm生产。这将符合17亿美元的建筑，基础设施和设备的投资，但该公司尚未说该网站上是否会有多种工厂。
该位置将允许三星与附近的FAB共享熟练的员工，并吸引英飞凌和恩智浦的工作人员附近的Fab。
泰勒源将跨越500多万平方米，预计将作为三星全球半导体制造能力的关键地点，以及韩国Pyeongtaek的最新新生产线。
然而，Fab Building的增加可能会导致2024年和2025年市场的过度能力，从美国芯片行为的刺激措施旨在在过去18个月的芯片短缺后提升半导体制造。
“当我们在泰勒添加新设施时，三星正在为另一个重要的奠定基础
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德克萨斯州参议员John Cornyn，州长Greg Abbott，三星电子副主席兼首席执行官Kinam Kim宣布奥斯汀以外的3千万美元的Fab
