台积电在台湾和欧洲的高级管理人员一直强调，台积电不与客户竞争。
“我们不与您竞争，我们是一家纯玩铸造厂，”今天在台积电技术研讨会上欧洲总裁玛丽亚·马塞德（Maria Marced）表示。
此举正值该公司准备在今年晚些时候进行其3nm工艺技术的早期生产，并在2022年下半年进行量产。该公司不愿就其2nm制程技术的时间表置评。
台积电（TSMC）首席执行官曹伟（CC Wei）在同一活动上表示：“我们永远不会有自己的产品与你们的产品竞争。”。他还强调了此前宣布的1000亿美元产能投资，以安抚客户对当前短缺的担忧。
该公司正在推出一种5nm的汽车设计工艺以及一种射频芯片的变体。该公司还正在扩大其3D封装能力，目前台湾有五家专门的晶圆厂。
“我们已经将N5扩展到N5A上的汽车领域，以支持人工智能驾驶辅助和汽车驾驶舱数字化的需求。N5A将大容量5nm工艺与AEC-Q100 2级的可靠性要求以及其他汽车安全和质量标准相结合。”
N5A计划于2022年第三季度上市。
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5nm工艺的光学收缩将于今年晚些时候提前生产。N4通过与N5兼容的设计规则，提供了6%的密度提升，并减少了掩模数量以降低成本。风险生产定于2021年第三季度进行。
对于5G智能手机，台积电展示了N6RF工艺，它将6nm逻辑工艺的功率、性能和面积优势带给5G射频（RF）、亚6GHz和毫米波芯片以及WiFi 6/6e设计。这是针对目前采用16nm工艺的设计，可将截止频率从16FFC中的257GHz提高到310GHz，功率降低40%
对于高性能计算应用，特别是来自英特尔竞争对手AMD的应用，台积电将在今年晚些时候为其InFO_oS和CoOS封装技术提供更大的十字线尺寸。这将为芯片和高带宽内存集成提供更大的平面图。此外，台积电SoI的晶圆上芯片（CoW）版本™ 将于今年通过N7-on-N7认证，生产目标为2022年在一家新的全自动化工厂进行。
对于移动应用，台积电推出了InFO_B封装技术，集成了强大的移动处理器，并在封装上叠加了DRAM。
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