研究实验室IMEC在比利时的IMEC在200mm晶圆上展示了氮化镓（GaN）过程，这可能是第一次高功率1200V设计中的碳化硅（SiC）。
imec与德国半导体设备制造商爱思强合作，在200mm QST基片上为1200V的横向晶体管生长了更厚的外延氮化镓缓冲层，其硬击穿超过1800V。
关键是零件可以基于高容量的CMOS兼容过程，低成本200mm Fab，大大降低了与SIC器件相比的成本。IMEC也在看，从横向设备移动到垂直结构也将降低成本，因为可以在单个晶片上进行更多的文档。这是其他GAN芯片提供商的策略：CEO采访：下一代电力IC
GaN设备以前仅适用于650V或800V，SIC用于高于此的电压，如800V和1200V的电动汽车和太阳能电池板逆变器等应用中。
“GaN现在可以成为从20V到1200V整个工作电压范围的选择技术。imec高级业务开发经理Denis Marcon表示:“由于可在高通量CMOS晶圆厂的更大晶圆上处理，与本质上昂贵的基于sic的技术相比，基于GaN的电源技术具有显著的成本优势。”
高击穿电压的关键是复杂外延材料叠层的仔细工程，以及使用在具有Qromis中的IIAP程序中开发的200mm QST基底的使用。这些晶片具有热膨胀，其与GaN / AlGaN外延层的热膨胀紧密匹配，为更较好的缓冲层铺平了较高电压操作的方式。
爱思强首席执行官兼总裁Felix Grawert博士表示:“imec的1200V GaN-on-QST epi技术成功开发到爱思强的MOCVD反应器中，是我们与imec合作的下一步。“在imec工厂安装了G5+C后，imec专有的200mm GaN-on-Si材料技术在大批量生产平台上获得了认证，目标是高压电源开关和射频应用，并使我们的客户能够通过预先验证可用的epi配方实现快速增产。有了这项新成就，我们将能够共同开拓新的市场。”
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