三星电子正在生产用于24gb DRAM存储设备的5层EUV工艺
三星电子以极紫外(EUV)技术为基础的14nm DDR5 DRAM存储器开始批量生产。
三星电子高级副总裁兼DRAM产品技术负责人Jooyoung Lee表示:“我们通过开拓关键模式技术创新，在DRAM市场上领先了近30年。“今天，三星正在创造另一个技术里程碑，其多层EUV技术实现了14nm的极端小型化，这是传统的氟化氩(ArF)工艺不可能实现的壮举。在这一进步的基础上，我们将继续提供最具差异化的内存解决方案，全面解决在数据驱动的5G、人工智能和元世界对更高性能和容量的需求。”
三星电子表示，通过将5个EUV层应用到14nm DRAM上，实现了最高的位密度，同时提高了约20%的整体生产效率。使用14nm工艺，与上一代DRAM节点相比，耗电量减少了近20%。
DDR5的数据传输速率高达7.2 Gbit/s，是DDR4的两倍。
三星计划扩展其14nm DDR5投资组合，以支持数据中心，超级计算机和企业服务器应用程序，并将其14nm DRAM芯片密度扩大到24Gbit。
该公司还为DDR5存储器使用了10nm级EUV工艺，可扩展到32Gbit设备，降低了30%的功耗。
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