2nm SRAM、完全集成GaN芯片系统、硅量子处理器和3D芯片布线都是imec在下个月的IEDM 2021大会上的论文
比利时研究机构imec在2021年IEEE国际电子器件会议(IEDM)上发表了21篇论文，成为该会议最大的贡献机构。
论文展示了各种领域的进展，如逻辑，记忆，电源器件技术。更具体地说，imec报告了单片GaN电源集成电路、cmos兼容的纳米级畴壁器件、3D SoC设计、后台互连、用于3D-DRAM内存的基于igzo的DRAM单元架构以及用于大规模量子计算机的新型2D器件架构等方面的突破。
利用晶圆背面的BS (back - side)互连技术，在SRAM宏和2nm技术节点上实现信号路由，可以解决前端BEOL路由拥塞的技术挑战。与FS BEOL相比，BS路由对提高长互连信号的性能非常有利。
一篇关于单片GaN电源集成的200v GaN-on- soi智能电源平台的论文展示了在200mm基片上开发的200v GaN-on- soi智能电源集成平台。耗尽模式(d-mode) mis -HEMT和栅极边缘终止肖特基势垒二极管(GET-SBDs)已经成功集成在增强模式(e-mode) HEMT技术基线中。各种低压器件和无源元件进一步支持GaN集成电路平台。
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