意法半导体和三星已经开发了一种18nm FDSOI技术的嵌入式相变存储器逻辑平台。
意法半导体一直是嵌入式微控制器中相变存储器(PCM)的主要倡导者，特别是在汽车应用中。该公司至少从2017年就开始支持这项技术，并于2018年在其28nm全耗竭绝缘体上硅(FDSOI)制造工艺上对微控制器进行了采样
在40nm节点之前，非易失性存储器的选择是闪存，但这在扩展到40nm以下时存在问题，部分原因是需要高电压，以及电荷泵实现高电压所占用的模具区域。
现在ST和Samsung建议迁移到18nm FDSOI的前沿微控制器应用程序，包括始终开启类型应用程序。
三星铸造厂提供28nm和18nm fdsoi。28nm FDSOI具有嵌入式MRAM的选项，而18NM FDSOI没有嵌入式内存提供。它可能是三星已经为ST制造了28nm FDSOI-PCM，也将在客户专有的基础上为ST制造18nm FDSOI-PCM。
但也有可能，三星将开始提供18nm fdsoi - pcm在未来更广泛的用户。作者将该平台描述为满足下一代微处理器的性能目标。
www.stmicroelectronics.com.；www.samsung.com
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