英国存储技术开发商Intrinsic Semiconductor Technologies在一轮种子融资中筹集了135万英镑(合150万欧元)，并计划与比利时研究实验室imec合作。
该公司是2017年从大学学院巡逻伦敦，资金由UCL技术基金和知识产权集团PLC领导。这笔钱将用于允许内在的乐曲与半导体研究铸造IMEC参与Leuven。
内在计划在300mm硅晶片上开发非易失性记忆，但没有讨论它计划在任何合作的时间表或时间表的几何图格。
内在的技术基于能力在薄层的氧化硅层上切换电阻。因此，该研究遵循了米饭大学詹姆斯巡回教授的类似途径。教授的工作在追求硅氧化物的非易失性记忆的公共公司的形成中，旅游工作已经有限公司。
二氧化硅在传统的CMOS芯片生产中使用绝缘体，因此它也可以配置为存储元件的可能性提供了有吸引力的材料兼容性的前景。
在业界主导的非易失性记忆 - 闪存的缩放上的问题 - 导致创造非易失性记忆的创新方法浪潮，尽管没有任何巨大的成功迄今为止（见Micron转回3D-xpoint，请放置Fab Up of Sale）。
Intrinsic成立于2017年12月，由Tony Kenyon教授和Adnan Mehonic博士共同创立。Mark Dickinson是Altera、ARM和Imagination Technologies的前高管，于2019年4月被任命为Intrinsic的首席执行官。
“本征的忆阻器技术将通过在数字CMOS中结合高性能和易于集成来改变下一代系统。通过将我们的设备建立在硅氧化物的基础上，我们确保了它们尽可能简单和廉价地与硅基电子集成，”本内公司的联合创始人、纳米电子和纳米光子材料教授Tony Kenyon教授在一份声明中说。
adnan mehonic，UCL电气和电子工程系的内在和助理教授联合创始人，
