英国研究与创新局正在支持开发Newport Wafer Fab Ltd.的氮化甲酯高电子移动晶体管铸造工艺。
该项目由复合半导体中心有限公司（CSC）和NWF协调，并计划提供650V GAN-on-Silicon Hemt流程，以使用200mm直径的晶圆进行实施。
外延过程利用了CSC与IQE合作开发的知识产权。该项目得到了乌克里的支持，尽管没有披露资金的数量。
“这是迈出的NWFS愿景迈出的激动人心的一步，是成为化合物塞利康产品的主要制造商。我们认为，宽带的带盖式电源设备市场是我们计划扩大当前制造业务的绝佳领域。week to 14,000, and it’s a natural opportunity for us to pursue given our heritage in high power silicon MOSFET, IGBT and GaN device development manufacturing," said Sam Evans, NWF's director of external affairs, in a statement issued by CSC.
GAN计划经理Rob Harper。存储逆变器。”
复合半导体中心成立于2015年，是加的夫大学和IQE PLC之间的合资企业。
相关链接和文章：
www.compoundspemedonductorcentre.com
新闻文章：
