英国斯旺西大学(Swansea University)和新港晶圆厂(Newport Wafer Fab)获得了英国政府480万英镑(560万欧元)的资助，用于制造用于电力设备的碳化硅(SiC)基片的尖端设备。
一笔480万英镑(合560万欧元)的投资将用于建设一条宽带间隙电力电子元件工业中线，设备位于斯旺西(Swansea)和新港晶圆厂(Newport Wafer Fab)。
该试验线将加工150毫米和200毫米SiC衬底，这些衬底可用于制造汽车、航空航天、医疗和能源等行业的高效电力电子产品。SiC基板的供应是电力器件生产的关键因素。II-VI公司去年收购了SiC晶圆供应商Ascatron，以确保其供应链安全。
Newport Wafer Fab的复合过程集成经理Andrew Withey博士说:“这项投资将使NWF开发下一代SiC mosfet，这是绿色革命的核心器件，也是我们扩大雄心的关键组成部分。”
斯旺西和NWF的资金被授予为推动电力革命(DER)的一部分，DER是由英国研究和创新领导的工业战略挑战基金的一部分。DER将在全国范围内投资2850万英镑，用于建设包括工业、运输和能源在内的多个部门的电气化供应链。
这项投资将英国范围内的30多个学术、研究和技术组织结合在一起，这些组织以四个区域发展中国家工业化中心为基础，每个中心都由产业集群和机构支持，分别位于西南和威尔士、苏格兰、东北和中部。
南威尔士的投资是斯旺西大学综合半导体材料中心(CISM)项目的关键组成部分，该项目涉及该地区复合半导体(CS)互联半导体制造社区的多个合作伙伴。
“电力电子技术是一项关键的使能技术，应用于从家用电器、交通运输到可再生能源发电的所有部门。这个新的试点线将在碳化硅半导体芯片制造创新用于下一代的电力电子系统,将更有效,更轻,扮演着重要的角色在帮助英国实现碳减排目标,”迈克·詹宁斯说,斯旺西大学的工程学院副教授。
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